Fermienergie und Leitungs- und Valenzbandkanten von Germaniu

Bigspid123 · Anmeldungsdatum: 26.11.2013 Beiträge: 1

Meine Frage:
Hallo,

ich untersuche für meine Diplomarbeit im Speziellen auch den Halbleiter-Metall-Übergang von Germanium und Aluminium. Dafür möchte ich das entsprechende Bändermodell erstellen und habe dazu ein paar Fragen.

1. Mir fehlen dazu noch einige Angaben, die ich noch in keiner Literatur im Internet gefunden habe. Das wären die Austrittsarbeit von intrinsischem Germanium (E_Vakuumniveau - E_Fermienergie) und die Elektronenaffinität X (E_Vakuumniveau - E_Leitungsband).

2. Bei p-Dotierung des Germaniums tritt das Ferminiveau pinning auf. Gilt das auch fürkleine Dotierungen 1E16 bis 1E17?

3. Erstelle ich das Bändermodell mit den angaben, die ich bisher habe, dann ergibt sich ein Bändermodell, bei dem die Bänder "nach unten" gebogen werden. Wenn ich hier die Schottkybarriere angeben will, ist diese beim Leitungsband sehr klein, allerdings gibt es dann die "Bandverbiegung" zu überqueren (aus Elektronensicht). Wenn ich hier aber die Löcher betrachte, hab ich eine schöne Schottkybarriere, wie sie sonst in jedem Lehrbuch zu finden ist. Bei Schottky-Übergängen wird ja der Stromfluss von den Majoritäten getragen. In diesem Fall, erhalte ich dieses Bändermodell auch bei intrinsischem Germanium. Wird der Stromfluss dann trotzdem, wie bei p-Dotierung, durch die Löcher beschrieben?

Meine Ideen:
1. Alternativ kann ich auch die Leitungsbandkanten selber bestimmen und muss diese vom Vakuumniveau abziehen. Entspricht das Vakuumniveau 0 eV? Oder einem anderen "festen" Energieniveau.