Resonante Tunneldioden

Frau_K · Anmeldungsdatum: 19.12.2012 Beiträge: 1

Meine Frage:
Hallo (:
ich hab folgende Frage:
Wenn ich eine Spannung an eine RTD anlege, dann kann ich über die Spannung mithilfe der Formel E = |aeVpeak| meine kinetische Energie berechnen (wobei ich von symmetrischen Barrieren ausgehe, also a=0,5 setze)
Nun habe ich verschiedene Messwerte, nämlich meine IV-Kennlinien zu verschieden großen Dioden an verschiedenen Temperatur (von Raumtemperatur bis runter zu 4K).
Die Potentialtopfbreite müsste der Schichtdicke meines GaAs entsprechen, also 5nm. Bei den Berechnungen der Breiten (über die Formel L=(pi*hquer)/((2m*E0)^-1/2)... wobei m*=0,067me)erhalte ich beim Einsetzen der verschiedenen Energien, Werte von 3nm bis 6nm.
Auffällig dabei ist, dass je größer die Fläche der Diode ist, desto kleiner ist die Potentialtopfbreite.
Warum ist das so?
Meine Breite hängt doch von der Energie ab, meine Energie von der Spannung.. Aber inwiefern spielt die Fläche jetzt eine Rolle?

Meine Ideen:
irgendwie muss das alles mit der Energie zusammenhängen. je kleiner die Diode, desto kleiner auch die errechnete Energie. meine Breite ist antiproportional zu meiner Energie..