 Verfasst am: 05. Okt 2016 15:21 Titel: |
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| Moin
Der Ladungsträgertransport, der zur Bildung der Verarmungszone führt, ist die Folge der Diffusion (Konzentrationsgefälle). Das durch die ortsfesten Ladungen (Atomrümpfe) entstehende elektrische Feld wirkt dieser Diffusion entgegen, so dass sich ein Gleichgewichtszustand einstellt. Dieses elektrische Feld sorgt auch dafür, dass die Verarmungszone räumlich begrenzt bleibt und sich nicht über die vollständigen Dotiergebiete erstreckt. |
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| Verfasst am: 27. März 2016 17:52 Titel: Verständnisfrage zum p-n-Übergang |
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| Angenommen wir haben einen p-n-Übergang: links p-dotiert und rechts n-dotiert. Wenn sich in der Mitte die Raumladunszone eingestellt hat, dann ist ja der Halbleiter am linksseitigen Rand des n-Gebietes positiv und am rechten Rand des p-Gebiets negativ geladen. Außerdem ist rechts vom positivgeladenen Bereich der Halbleiter "ganz normal" n-dotiert. Frage: Warum wandern die freie Elektronen in diesem Bereich nicht in Richtung der positiven Raumladung? Warum kommt es rechts von diesem Bereich nicht zu einer hohen Dichte von (freien) Elektronen? kann man sich die Raumladungszone so wie einen Plattenkondensator vorstellen? Was passiert dann mit einem Elektron, dass sich direkt hinter der positiv geladenen Platte befindet? | |