 Verfasst am: 07. Jun 2008 18:34 Titel: |
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| Also keine Panik, es ist ganz einfach: Der Transistor hat ein Ausgangskennlinienfeld. Für einen gegebenen Basisstrom I(b) und eine gegebene Spannung U(ce) stellt sich ein ganz bestimmter Strom I(c) ein. Nun ist aber U(ce) nicht bekannt sondern nur U(0), als die Versorgungsspannung gegeben.
Es muss daher gelten: Das ist die Gleichung der Lastgeraden; dort wo diese die Kennline I(c) - U(ce) schneidet, ist der Arbeitspunkt. Nun überlege dir anhand des Arbeitspunktes, was passiert, wenn I(b) variiert wird (zB indem du ein Signal an der Basis anlegst, welches verstärkt werden soll). Wie kannst du die dazugehörige Änderung von U(ce) im Diagramm ablesen? Für deinen Fall würde ich zunächst I(b) = 12µA setzen, und den Arbeitspunkt ermitteln. Danach mach das gleiche für I(b) = 6µA und 18µA. Um wieviel ändern sich jeweils I(c) und U(ce) - im Sättigungs- und dann im Verstärkungsbereich? |
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| Verfasst am: 07. Jun 2008 11:31 Titel: |
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| hallo!
Hmm..ich bin gerade verwirrt. Die Lastgerade benutzt man doch, um für ein gegebenes IB konkrete Werte für IC und UCE abzulesen, oder nicht? Der Arbeitspunkt ist dann irgendwie ein Betriebszustand. Das ist mir aber gerade nicht mehr so ganz klar....Wozu brauche ich diesen Betriebszustand? Irgendwie hängt der Zustand doch von UCE und IB ab. Ich kann doch nicht einfach einen Punkt bestimmen und sagen, so, das ist der Betriebszustand, denn dieser variiert doch. Hmm...und was das jetzt mit meinem Verstärkungs- und Sättigungsbereich zu tun hat, ist mir auch nicht ganz klar. Ok, im Verstärkungsbereich sinkt der Arbeitspunkt je niedriger IB ist. Im Sättigungsbereich schneidet meine Gerade die Ausgangskennlinien ja in der Regel gar nicht. Mist, jetzt bin ich verwirrter als vorher...ich dachte eigentlich ich hätte das damals alles verstanden...  |
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| Verfasst am: 07. Jun 2008 10:19 Titel: |
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| erste Frage:
Ist schon OK... Überleg dich mal anhand der Arbeitsgeraden, was passiert, wenn man den Basisstrom variiert. Was passiert im (linken) Sättigungs- und was im (rechten) Verstärkungsbereich? |
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| Verfasst am: 07. Jun 2008 10:18 Titel: |
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| Hi, zweite Frage:
Bitte berachtet die Tabelle mit den angegebenen Messwerten. Man soll daraus Kennlinien erstellen (RL ist gegeben=500Ohm) und den Verstärkungsfaktor des Transistors errechnen. Ersteres habe ich gelöst indem ich für jedes unterschiedliche IB URL = IC * 500OHm errechnet habe und dann UCE zu UB-URL bestimmt habe. (ich hoffe die Bezeichnungen sind einigermaßen klar) Jetzt müsste ich noch Excel überreden, dass schon aufzumalen... Zum Verstärkungsfaktor: Ich habe einfach für jeden unterschiedlichen Basisstrom gerechnet: (IC/1000)/(IB/10^6) und Werte zwischen 225 und 1160 erhalten. Kann das stimmen? Was antworte ich denn jetzt auf die Frage: "Geben Sie die Stromverstärkung an."? Danke euch! |
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| Verfasst am: 07. Jun 2008 10:13 Titel: Transistor: Kennlinienfelder |
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| Hallo!
Ich verstehe bei unten angegebener Grafik nicht recht, was nun Sperrbereich, Verstärkungsbereich und Sättigungsbereich sind. Also: Sperrbereich: Keine Feldlinien, da sie alle mit UCE Achse zusammenfallen. (finde ich verständlich, denn es fließt eben kein Kollektorstrom). Verstärkungsbereich: Kennlinien(mit geringer Steigung) in konstantem Abstand. Sättigungsbereich: Die Kennlinien fallen (mit großer Steigung) für unterschiedlich große Basisströme zusammen. Verstärkungsbereich und Sättigungsbereich sind mir unverständlich. Ich hätte gedacht, dass es genau andersherum ist. Da wo die große Steigung ist, verstärkt sich das ganze und IC nimmt zu, ist der Transistor gesättigt, dann steigt IC eben kaum noch. Bitte erklären!  |
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