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[quote="ML"]Hallo,

[quote="sdfsfsf"]Was haben bei dem Ersatzschaltbild bei Transistoren das g und das R_D zu bedeuten ?[/quote]
Ohne weitere Informationen ist das ein wenig wie Glaskugel schauen; vielleicht kannst Du ja das Schaltbild mal einscannen und ins Forum setzen. Im Zusammenhang erkennt man gleich viel mehr. Vielleicht hast Du auch noch irgendeine Formel,die in diesem Zusammenhang genannt wird.

Meine Glaskugel sagt:
[latex]R_D[/latex] könnte der Widerstand der BE-Diode im Arbeitspunkt sein.
[latex]g[/latex] liest sich wie ein differentieller Leitwert.

[quote]
Beim Mosfet wiederum gibt es zwischen drain/gate/source jeweils einen Kondensator was bedeuten diesen? Sind es einfach nur Koppelkondensatoren ?[/quote]
Nein. Das sind (parasitäre) "Kondensatoren", die bauartbedingt im Transistor vorhanden sind, die Du aber gar nicht unbedingt haben willst. Wenn Du das Verhalten des Transistors beschreiben willst, musst Du sie trotzdem mit berücksichtigen.

Grundsätzlich hast Du ja überall eine Kapazität, wo sich leitfähige Fächen gegenüberstehen, die eine unterschiedliche Spannung haben (können). In diesem Sinne gibt es also keine Schaltung und kein elektrisches Bauteil, das ohne einen solchen "Kondensator" auskommt. Die Frage ist bloß, wie groß die zug. Kapazität ist und ob die Kapazität die Funktion Deines Bauteils merklich verändert.

Wenn Du Dir den Aufbau eines MOSFET anschaust, dann siehst Du, dass Gate und Source sowie Gate und Drain sich überlappen, wobei sie mit einer (oft nur wenige Nanometer dicken) SiO2-Isolationsschicht isoliert sind.
https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:N-Kanal-MOSFET_%28Schema%29.svg
Diese sich überlappenden Flächen sind die besagten "Kondensatoren". Wenn in dem von Dir betrachteten FET Bulk und Source miteinander verbunden sind, ist die Kapazität Bulk/Gate wahrscheinlich schon in die Gate-Source-Kapazität mit eingerechnet.

Viele Grüße
Michael[/quote]

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